报告人：程迎春 南京工业大学教授
报告时间：11月14日14:30-16:00
报告地点:物理楼A311
主办单位：物理与电子学院
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报告摘要：单层MoS2类半导体，因具有超薄的特性，直接带隙、带隙在可见光范围和较高的电子迁移率，成为近十年半导体领域重点关注的新型半导体。另一方面，单层MoS2类半导体具有强的自旋轨道耦合及破缺的结构反演对称性，从而具有耦合的自旋与能谷特性，在自旋电子学、能谷电子学及光电子学中具有重要的基础研究价值和实际应用潜力。如何调控自旋与能谷是将单层MoS2类半导体应用于新型自旋能谷器件的关键问题。程迎春教授利用理论计算的方法研究缺陷调控、磁近邻调控和结构调控自旋与能谷，以及与能谷相关的结构相变，为将MoS2 等二维半导体应用于自旋能谷器件提供了理论依据。
程迎春，男，南京工业大学先进材料研究院教授，入选江苏省高校“青蓝工程”中青年学术带头人，江苏省六大人才高峰计划，江苏省特聘教授。在包括Nature Nanotechnol.、 Nano Lett.、 ACS Nano、Adv. Funct. Mater.、Phys. Rev. B、Appl. Phys. Lett.和Europhys. Lett.等国际著名学术期刊发表论文100余篇，h-index 36，他引5000余次，其中6篇入选ESI高被引论文。多篇论文被研究性论文如Nature、Nature Nanotech.、Phys. Rev. Lett.，及权威综述如Rev. Mod. Phys.和Chem. Soc. Rev.等引用及评述。担任Nature Nanotech.、Nature Comm.、ACS Nano等专业杂志的审稿人；担任Journal of Semiconductors第12届编辑委员会编委。
