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韩根全:Some Devices for Post-Moore Era: Logic, Memory, and Power Transistors(时间10.21)
【 作者:  校对时间:2020年10月20日 15:42  访问次数: 】

报告人:韩根全 西安电子科技大学教授

报告时间:10月21日10:00

报告地点:特种功能材料重点实验室二楼216会议室

主办单位:特种功能材料重点实验室

欢迎光临!

  报告摘要:在过去几十年里,摩尔定律指引着集成电路产业的发展,芯片制造工艺也在按部就班地推进。但进入了最近几年,芯片的微缩周期因受到硅材料本身特性和设备的限制而逐渐变慢。换句话说,摩尔定律失效了。全球半导体行业研发规划蓝图协会主席Paolo Gargini在早年也曾表示,按照最快的发展速度看,到2020年,我们的芯片线路可以达到2-3纳米级别,然而在这个级别上只能容纳10个原子。这时候芯片的电子将受限于量子的不确定性,晶体管变得不可靠,寻找硅以外的替代材料和新技术就成为工程师们的工作重点。为了延续之前的芯片前进步伐,产业研正在材料等方面探索芯片演进的新解决办法:More Moore、More than Moore和Beyond CMOS就成为了其中的选择。其中More Moore和More than Moore被称为非硅微电子学。

  韩根全,教授,本科毕业于清华大学,在中科院半导体研究所获得博士学位,从2008到2013年韩根全博士在新加坡国立大学Silicon Nano Device Laboratory (SNDL)实验室从事高端CMOS器件研制,2012年加入西安电子科技大学微电子学院。国家杰出青年基金获得者。韩根全教授在高迁移率非硅材料CMOS器件、隧穿晶体管以及负电容晶体管器件研制方面取得了国际领先的研究成果,相关研究成果被Semiconductor Today等网站多次转载。韩教授发表论文160多篇,在IEEE顶级会议International Electron Devices Meeting (IEDM) 和 VLSI Symposium on Technology (VLSI) 上发表多篇文章。