报告人：常胜 武汉大学教授
报告时间：11月18日15:30-17:00
报告地点：物理楼A311
主办单位：物理与电子学院
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报告摘要：进入后摩尔时代，微电子的发展面临着巨大的挑战，也迎来了很多新的机会。人工智能技术近年来随着计算能力的快速发展突飞猛进，也正在向传统信息处理外的各领域迅速渗透。本报告将分析微电子与人工智能融合的可能性，通过我们近期在低维半导体材料物性、新型电子器件机理、石墨烯及忆阻器件电路模型以及神经网络集成电路设计等方面做出的二者融合的研究，与大家共同探索一种后摩尔时代微电子发展的新思路。
常胜，教授，博士生导师，珞珈青年学者，IEEE Senior Member，武汉大学物理科学与技术学院院长助理。长期从事微电子器件及电路的理论及应用研究工作，近几年致力于后摩尔时代微电子发展新路径的探究，在半导体器件机理、微电子器件仿真、神经形态电路设计方面取得了一系列成果。在IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Neural Networks and Learning Systems、Physical Review Applied、Carbon等国际著名期刊上发表论文100余篇。
