报告人：王欣然 南京大学教授
报告时间：12月9日16:30-18:30
报告地点：特种功能材料重点实验室二楼报告厅
主办单位：特种功能材料重点实验室
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报告摘要：随着硅基晶体管的尺寸逐渐接近物理极限，集成电路面临着基本物理原理和高功耗等挑战。二维半导体材料具有超薄极限沟道厚度、高迁移率、能带可调控等特点，可以在5nm工艺节点以下有效抑制短沟道效应，有望给“后摩尔时代”微电子器件带来新的技术变革。本报告将围绕高性能、低功耗逻辑器件与集成这个目标，探讨二维材料选择、迁移率、接触电阻、介电层、负电容效应、材料合成、器件工艺等关键科学问题，并指出未来的发展方向。
王欣然，南京大学电子科学与工程学院教授、博士生导师，国家杰出青年基金获得者，教育部长江学者特聘教授。2004年本科毕业于南京大学物理系，2010年获得斯坦福大学物理学博士学位，2010-2011年期间先后在美国斯坦福大学和伊利诺伊大学香槟分校做博士后研究员，2011年回到南京大学工作。主要从事低维信息材料、器件与集成电路的研究工作，在Science、Nature子刊和IEDM等国际权威期刊和会议发表论文100余篇，总引用超过20000次，入选全球高被引学者榜单。先后获得江苏青年五四奖章、中国青年五四奖章、中国青年科技奖、江苏省科学技术一等奖国家自然科学二等奖、中国物理学会黄昆物理奖、 “万人计划”科技创新领军人才等荣誉。现任全国青联委员，江苏省青联副主席，江苏省青年科技工作者协会副会长，国际学术期刊npj 2D materials and applications副主编，Nano Research、中国科学：信息科学、半导体学报等期刊编委。
