报告人：刘方泽 北京理工大学副教授

报告时间：12月18日10:00-12:00

报告地点：物理与电子学院A311

主办单位：物理与电子学院

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    报告摘要：光电阴极是许多应用领域的关键组成部分，例如同步辐射光源和自由电子激光的电子注入装置，光电倍增管以及图像增强管。传统光电阴极材料的一个主要局限是无法同时满足长使用寿命和高量子效率，并且这两项重要性能指标具有负相关性，例如长寿命的金属材料量子效率一般低于0.1%，高量子效率的多碱锑化物只能工作于超高真空同时寿命有限。本次报告将主要介绍对于应用二维材料保护层提高多碱锑化物光电阴极稳定性的研究，实现了在悬空少层石墨烯薄膜上直接生长高质量K2CsSb光电阴极，并验证了K2CsSb发出的光电子可以有效的穿透石墨烯保护层，对于进一步实现全包覆的光电阴极具有重要意义。还将介绍近期将钙钛矿薄膜应用于负电子亲和势光电阴极的工作，发现在用溶液法制备的钙钛矿薄膜表面蒸镀单原子层的铯可以作为负电子亲和势材料，和传统三五族半导体相比，负电子亲和势的钙钛矿薄膜的稳定性得到了极大提高。

    刘方泽，北京理工大学前沿交叉科学研究院副教授，博士生导师。2009年获得复旦大学学士学位，2015年毕业于美国东北大学(Northeastern University)，获得物理学博士学位，2015年至2021年在美国洛斯阿拉莫斯实验室从事博士后研究，2021年9月加入北京理工大学。长期进行基于二维材料异质结的光电器件研究，发表学术论文40余篇，第一或通讯作者论文发表于Nature Communications, Science Advances, Materials Today, ACS Nano, ACS Applied Materials & Interfaces等期刊，他引2000余次。