报告时间：2022年7月28日16:00开始
报告地点：材料学院216会议室（线下）
腾讯会议：923-640-499（线上）
主办单位：材料学院
欢迎光临！

报告1：宽禁带半导体氧化镓材料与器件，唐为华 教授 北京邮电大学，时间16:00；

    内容简介：后摩尔时代，具有先天性能优势的宽禁带半导体材料脱颖而出，将推动电力电子器件提高效率、提高密度、缩小尺寸、减轻重量、降低总成本，因此将在加速推进碳达峰、碳中和的进程中作出突出贡献。氧化镓是被国际普遍关注认可的第四代半导体材料，报告将重点讲述基于宽禁带半导体氧化镓光电子学材料与器件方面的物理问题、制备与集成关键技术研究，开展固态低维小尺度系统中的光、电、磁的交织效应与性能调控机制研究，探索新原理，新材料与新器件。

    主讲人简介：唐为华，北京邮电大学/南京邮电大学教授，博导，北京镓族科技有限公司、北京镓和半导体有限公司创始人。入选国家“新世纪百千万人才工程”，江苏省“双创人才“，享受国务院政府特殊津贴，获北京市科学技术一等奖和二等奖。长期从事信息功能材料与器件研究，已在国内外重要学术杂志上发表SCI收录论文350多篇，论文被引用12000多次，H因子52，发明专利30多项。主持国家级省部级重大课题等二十多项。担任中国晶体学会理事、中国物理学会X射线衍射专业委员、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟标准化委员会委员、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟监事、“中关村标准“智库首批特聘专家。近十年来重点开展超宽禁带半导体氧化镓材料、物性及器件研究，是国内开展氧化镓科学研究与产业化实践的先行者。

报告2：反钙钛矿化合物的结构与物性研究，王聪 教授 北京航空航天大学，时间17:00。

    内容简介：与传统材料的“热胀冷缩”相比，反常热膨胀材料因其负膨胀或近零膨胀特性在工程技术领域具有潜在应用价值。从理论设计出发，合成了具有多相负膨胀组元的复合材料，克服了单一材料反常热膨胀温度区间较窄的缺点，获得了宽温域、低膨胀新材料；通过多相钉扎方法延缓相变进程，展宽了反钙钛矿化合物的负膨胀温区。利用中子衍射等实验手段，揭示了部分反钙钛矿化合物的磁结构，对反常热膨胀的物理图像提出了深入认识；结合高压下中子衍射等实验手段，揭示了反钙钛矿化合物和Mn3X合金体系在压力下磁结构的演化规律，对自旋的压力调控给出了理论指导。

    主讲人简介：王聪，北京航空航天大学教授，博士生导师。主要从事反钙钛矿化合物的反常（负、低、零膨胀）热膨胀性质及其关联的磁、电、热输运性质，如磁卡效应，磁致伸缩，压磁效应，零电阻温度系数等；太阳能聚焦热发电高温集热器以及耐高温的太阳光谱选择性吸收涂层（光-热转换多层膜）的研究；热控薄膜；空间太阳能热利用；钙钛矿太阳能电池研究，半导体光催化纳米材料对环境污染物的降解等。在Adv. Mater., Phys. Rev. B, Chem. Mater., Appl. Phys. Lett., Solar Energy Mater. & Solar Cell等刊物上发表论文超过220篇，SCI收录180篇以上，SCI他引超过2800次；授权发明专利10项，获得2013年教育部自然科学二等奖（第四作者）。